Organische Feldeffekttransistoren (OFET)

Beschreibung

Scheidet man eine (organische) Halbleiterschicht auf ein solches Substrat ab, übernimmt der Si-Bulk die Gate-Funktion und kontrolliert den Stromfluss zwischen den Goldelektroden. Ein passend dotiertes Si-SiO2-Interface in CMOS-Qualität garantiert einen reproduzierbaren Gatekontakt. Die Goldelektroden mit patentierter Haftschicht unterdrücken auch für p-leitende Halbleiter die Ausbildung von Injektionsbarrieren zwischen den Goldelektroden und der Organik im Transistorkanal, so dass sich zuverlässige ohmsche Source / Drain-Kontakte im OFET ausbilden.

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