Scheidet man eine (organische) Halbleiterschicht auf ein solches Substrat ab, übernimmt der Si-Bulk die Gate-Funktion und kontrolliert den Stromfluss zwischen den Goldelektroden. Ein passend dotiertes Si-SiO2-Interface in CMOS-Qualität garantiert einen reproduzierbaren Gatekontakt. Die Goldelektroden mit patentierter Haftschicht unterdrücken auch für p-leitende Halbleiter die Ausbildung von Injektionsbarrieren zwischen den Goldelektroden und der Organik im Transistorkanal, so dass sich zuverlässige ohmsche Source / Drain-Kontakte im OFET ausbilden.
Stand 1-213
Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS
Das Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS steht für angewandte Forschung und Entwicklung in den Bereichen intelligente Industrielösungen, Medizintechnik, Gesundheit und verbesserte Lebensqualität. Wir bieten Ihnen Komplettlösungen, von der Konzept- und Technologieentwicklung bis zur Pilotproduktion im eigenen Reinraum. Unsere Forschungsschwerpunkte sind miniaturisierte Sensoren und Aktoren, integrierte Schaltungen, drahtlose und drahtgebundene Datenkommunikation sowie kundenspezifische MEMS-Systeme.
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